Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
3

Accurate defect levels obtained from the HSE06 range-separated hybrid functional

Deák, Peter, Aradi, Bálint, Frauenheim, Thomas, Janzén, Erik, Gali, Adam
Журнал:
Physical Review B
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 75 KB
english, 2010
13

Challenges for ab initio defect modeling

Peter Deák, Bálint Aradi, Thomas Frauenheim, Adam Gali
Журнал:
Materials Science and Engineering: B
Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 374 KB
english, 2008
14

“Some like it shallower” – p-type doping in SiC

Peter Deák, Bálint Aradi, Adam Gali, Uwe Gerstmann
Журнал:
physica status solidi (b)
Рік:
2003
Мова:
english
Файл:
PDF, 111 KB
english, 2003
15

Accurate gap levels and their role in the reliability of other calculated defect properties

Peter Deák, Adam Gali, Bálint Aradi, Thomas Frauenheim
Журнал:
physica status solidi (b)
Рік:
2011
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.05 MB
english, 2011
19

Small angle elastic scattering of 14 MeV neutrons by238U

A. Ádám, F. Deák, P. Hraskó, L. Jéki, A. Kiss, Zs. Kövesy, G. Pálla
Журнал:
Acta Physica Academiae Scientiarum Hungaricae
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 554 KB
english, 1968
20

Excitation of32S and56Fe by inelastic scattering of 14.1 MeV neutrons

A. Ádám, F. Deák, J. Kecskeméti, P. Koncz, G. Pálla
Журнал:
Acta Physica Academiae Scientiarum Hungaricae
Рік:
1974
Мова:
english
Файл:
PDF, 148 KB
english, 1974
21

Vestibular afferents to the motoneurons of glossopharyngeal and vagus nerves in the frog, Rana esculenta

Ádám Deák, Tímea Bácskai, Gábor Veress, Clara Matesz
Журнал:
Brain Research
Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.38 MB
english, 2009
22

Vestibulotrigeminal pathways in the frog, Rana esculenta

Clara Matesz, Gabriella Kovalecz, Gábor Veress, Ádám Deák, Éva Rácz, Tímea Bácskai
Журнал:
Brain Research Bulletin
Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 484 KB
english, 2008
27

Proper Surface Termination for Luminescent Near-Surface NV Centers in Diamond

Kaviani, Moloud, Deák, Peter, Aradi, Bálint, Frauenheim, Thomas, Chou, Jyh-Pin, Gali, Adam
Журнал:
Nano Letters
Рік:
2014
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.32 MB
english, 2014
28

Theoretical Investigation of an Intrinsic Defect in SiC

Gali, Adam, Deák, Peter, Son, N.T., Janzén, Erik
Журнал:
Materials Science Forum
Рік:
2002
Файл:
PDF, 308 KB
2002
29

Center in Diamond

Gali, Adam, Janzén, Erik, Deák, Péter, Kresse, Georg, Kaxiras, Efthimios
Журнал:
Physical Review Letters
Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 194 KB
english, 2009
31

Physics and chemistry of hydrogen in the vacancies of semiconductors

Szûcs, Bernadett, Gali, Adam, Hajnal, Zoltán, Deák, Peter, Van de Walle, Chris G.
Журнал:
Physical Review B
Рік:
2003
Мова:
english
Файл:
PDF, 583 KB
english, 2003
32

-SiC

Knaup, Jan M., Deák, Peter, Frauenheim, Thomas, Gali, Adam, Hajnal, Zoltán, Choyke, W. J.
Журнал:
Physical Review B
Рік:
2005
Мова:
english
Файл:
PDF, 649 KB
english, 2005
33

Strain-Free Polarization Superlattice in Silicon Carbide: A Theoretical Investigation

Deák, Peter, Buruzs, Adam, Gali, Adam, Frauenheim, Thomas
Журнал:
Physical Review Letters
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 390 KB
english, 2006
34

Electronic structure of boron-interstitial clusters in silicon

Deák, Peter, Gali, Adam, Sólyom, András, Buruzs, Adam, Frauenheim, Thomas
Журнал:
Journal of Physics Condensed Matter
Рік:
2005
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.74 MB
english, 2005
36

Theoretical Studies on Defects in SiC

Deák, Peter, Gali, Adam, Miró, J., Gutierrez, R., Sieck, A., Frauenheim, Thomas
Журнал:
Materials Science Forum
Рік:
1997
Файл:
PDF, 484 KB
1997
37

Dopant-related Complexes in SiC

Gali, Adam, Miró, J., Deák, Peter, Devaty, Robert P., Choyke, W.J.
Журнал:
Materials Science Forum
Рік:
2000
Мова:
english
Файл:
PDF, 379 KB
english, 2000
38

A Shallow Acceptor Complex in 4H-SiC: AlSiNCAlSi

Deák, Peter, Aradi, B., Gali, Adam, Gerstmann, Uwe, Choyke, W.J.
Журнал:
Materials Science Forum
Рік:
2003
Файл:
PDF, 342 KB
2003
39

Silicon Carbide: A Playground for 1D-Modulation Electronics

Deák, Peter, Buruzs, Adam, Gali, Adam, Frauenheim, Thomas, Choyke, W.J.
Журнал:
Materials Science Forum
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 776 KB
english, 2006
40

Boron Centers in 4H-SiC

Aradi, B., Gali, Adam, Deák, Peter, Rauls, E., Frauenheim, Thomas, Son, N.T.
Журнал:
Materials Science Forum
Рік:
2001
Файл:
PDF, 366 KB
2001
43

Time-Dependent Density Functional Calculations on Hydrogenated Silicon Carbide Nanocrystals

Vörös, Marton, Deák, Peter, Frauenheim, Thomas, Gali, Adam
Журнал:
Materials Science Forum
Рік:
2011
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.54 MB
english, 2011
44

Vacancies and their Complexes with H in SiC

Deák, Peter, Gali, Adam, Aradi, B., Son, N.T., Janzén, Erik, Choyke, W.J.
Журнал:
Materials Science Forum
Рік:
2000
Мова:
english
Файл:
PDF, 436 KB
english, 2000
47

Theoretical Study of Antisite Aggregation in α-SiC

Rauls, E., Gali, Adam, Deák, Peter, Frauenheim, Thomas
Журнал:
Materials Science Forum
Рік:
2003
Файл:
PDF, 393 KB
2003
49

Theory of Hydrogen in Silicon Carbide

Deák, Peter, Gali, Adam, Aradi, B.
Журнал:
Materials Science Forum
Рік:
2001
Файл:
PDF, 433 KB
2001
50

The Mechanism of Interface State Passivation by NO

Deák, Peter, Hornos, T., Thill, Christoph, Knaup, Jan, Gali, Adam, Frauenheim, Thomas
Журнал:
Materials Science Forum
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 290 KB
english, 2007